IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合功率半导体器件，兼有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小和BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，特别是在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，可直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT模块的工业应用包括交通控制、功率变换器、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备以及用于自动控制的变频器。IGBT模块还可用于家用电器、相机和手机等消费电子领域。作为工业控制及自动化领域的核心器件，IGBT模块在电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等诸多领域都有广泛的应用。
新思界《
2019-2023年中国IGBT市场可行性研究报告》显示，近年来，随着我国经济的发展，智能手机、新能源汽车、新能源电力等行业迅速发展。在一系列国家政策措施和下游行业发展的退东西下，国内IGBT市场持续快速增长，已成为全球IGBT的主要消费国。
但目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据，虽然我国IGBT市场需求增长迅速，但由于国内相关人才缺乏，工艺基础薄弱，国内企业产业化起步较晚，IGBT模块的进口依赖度较高，市场主要由英飞凌、三菱、富士、赛米控等士等企业占领。不过近几年国内IGBT技术发展较快，已有部分国内企业实现IGBT模块的批量化生产，国外厂商垄断状况正逐渐被打破，但目前真正具备IGBT芯片设计能力的只有中车时代电气、华微、士兰微、中科君芯、比亚迪、嘉兴斯达等少数企业，且技术较国外先进企业还有较大差距，产品的市场接受度也还较低。
新思界
行业研究员表示，IGBT是新能源汽车和高铁等轨道交通车辆动力系统的核心器件。当前新能源汽车行业正处于快速成长期，新能源汽车及其配套设施快速增长将为IGBT等高端功率半导体市场规模的加速扩张提供有力的保障。新能源汽车、变频家电、新能源发电等新兴领域的迅速发展将持续推动IGBT市场的高速增长。预计2022年，中国IGBT市场规模将达300亿元，IGBT的国产化空间还较大。
