高导热氮化硅陶瓷基板是指室温热导率稳定高于80 W/(m·K)的先进陶瓷基板，其在保留氮化硅陶瓷高强度、高韧性及优良绝缘性能的基础上，显著提升了其导热能力。与氮化铝、氧化铝等其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷材料具有硬度大、热膨胀系数小、抗弯强度、热断裂性能高等特性，在高温条件下具有明显优势，已成为第三代碳化硅（SiC）半导体功率器件高导热封装基板的首选材料。
从政策层面看，《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》提出将“高性能陶瓷衬板、第三代功率半导体封装用AMB陶瓷覆铜基板、氮化硅基板”列为先进基础材料。从应用方面看，高导热氮化硅陶瓷基板主要应用于新能源汽车、光伏、轨道交通、电网、工业设备等领域。其中，新能源汽车800V高压平台的SiC功率模块采用AMB氮化硅陶瓷基板进行封装，例如比亚迪“海豹”、蔚来ET9等车型均采用了该方案。
国内厂商在AMB陶瓷覆铜基板领域虽起步较晚，但在新能源汽车需求爆发与政策强力扶持的双重驱动下，已进入快速追赶阶段，江苏富乐华半导体科技股份有限公司、博敏电子股份有限公司、浙江德汇电子陶瓷有限公司、无锡天杨电子有限公司、江苏瀚思瑞半导体科技有限公司等企业纷纷对AMB陶瓷覆铜基板扩产放量的同时，也给高导热氮化硅陶瓷基板市场带来了旺盛需求。
从市场竞争来看，日本企业在技术与市场方面长期占据主导地位，其中，丸和株式会社是技术标杆，其产品在中国高端汽车电子市场拥有很高的认证壁垒与市场份额。近年来，国内中材高新氮化物陶瓷有限公司、福建臻璟新材料科技有限公司、无锡海古德新技术有限公司、浙江正天新材料科技有限公司、威海圆环先进陶瓷股份有限公司、浙江多面体新材料有限公司、株洲艾森达新材料科技有限公司、福建华清电子材料科技有限公司等企业都实现了高导热氮化硅陶瓷基板的量产，替代更多的进口产品以满足国内市场需求。
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