绝缘栅双极型晶体管（IGBT），是由BJT(双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合式半导体，兼有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小和BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在现代电力电子技术中得到了较为广泛的应用，市场需求增长空间巨大。
根据新思界产业研究中心发布的
《2019年绝缘栅双极晶体管（IGBT）商业计划书》显示，IGBT作为新能源、电动汽车、智能电网、高铁等产业中必不可少的核心器件，其市场发展迅速。近年来，随着轨道交通为代表的新兴产业市场崛起，全球IGBT市场逐年上升，其市场规模发展到2018年已经增长至400亿元以上；与此同时，国内IGBT市场规模也在不断扩大，发展到2018年已经增长至260亿元以上，国内IGBT市场发展正趋势向好，未来发展前景一片光明。
就目前来看，国内市场对IGBT产品的需求量仍然较大，虽然经过近几年的发展，国内IGBT已经形成完整的产业链，与之前产业相比已得到很大进步，但整体技术水平仍与国际水平仍存在较大差距。并且我国IGBT本土厂商多为中小型企业，实力较弱、企业规模也相对较小，所生产的产品产量远远不能满足国内巨大的市场需求。这便促使我国IGBT产业对进口市场依赖度较高。
从市场格局来看，在国际市场上，目前全球IGBT市场主要由英飞凌、日本三菱、富士电机、美国安森美、瑞士ABB等龙头企业主导，这五大龙头企业在市场占据着七成以上的份额。而在国内市场上，由于我国IGBT行业发展相对落后，全球前10大厂商中仅有一家中国厂商，国内企业实力相对薄弱，大多专注于某一领域的产品，主要企业有中车时代、斯达股份、华微电子等，因此在未来我国本土ICBT企业仍有很长的路要走。
新思界
行业分析人士表示，近年来，随着我国半导体市场的快速发展，对IGBT这一半导体重要功率半导体器件需求相对较大，进而促进整体市场持续发展。由于我国IGBT行业起步较晚，部分产品及配套设备主要依靠进口，对外依赖程度较高。虽然在近年来我国IGBT行业已经在部分技术领域已经实现突破，但与外资企业相比仍有明显差距。因此我国IGBT行业未来发展仍有很大的发展空间。
