氮化铝基板是一种新型的、解决高散热密度问题的、最适合于半导体芯片安装的陶瓷基板，具有以下优点：
（1）导热率高：传统的铝基板的热导率是1～2 W/（m•K），铜基板的导热率为2 W/（m•K），氧化铝陶瓷基板的热导率是15～35 W/（m•K），而氮化铝基板的热导率是170～230 W/（m•K），导热率越高越能帮助产品散热；
（2）更匹配的热膨胀系数：大部分的基板都用于电路板的硅芯片，氮化铝陶瓷和硅的热膨胀系数接近，不会在温差剧变时产生太大变形导致线路脱焊、内应力等问题；
（3）力学性能好：氮化铝基板抗弯强度高于氧化铍基板，接近氧化铝基板；
（4）可焊性好，使用温度高：氮化铝基板耐焊接，可多次重复焊接；
（5）绝缘性好：耐击穿电压高达20KV/mm。
凭借着导热率好、膨胀系数低、绝缘性好等特点，氮化铝基板在大功率、高密度集成电路封装等领域有着广泛的应用，近年来国内越来越多的企业进入到该领域，如潮州三环(集团)股份有限公司、福建华清电池材料科技有限公司等。根据新思界产业研究中心发布的《
2020-2024年中国氮化铝基板市场分析及发展前景研究报告》显示，2019年中国氮化铝基板行业市场规模为5.42亿元。
尽管氮化铝基板是新一代高集成度半导体基片和电子器件封装的理想材料，但是其制备工艺复杂，其烧结比较困难，在烧结过程中需要添加稀土氧化物或碱土金属氧化物等烧结促进剂，生产成本较高，产品价格也较高，在一定程度上阻碍了其推广使用。新思界
行业分析师表示，氮化铝基板企业需要业应加快技术升级，提升产品性能和生产效率，降低产品单位生产成本。
氮化铝基板最主要的原材料是氮化铝粉体，目前我国在氮化铝粉体技术领域难以突破，缺少核心技术，我国氮化铝粉体生产企业较少，技术水平和产品质量较低，我国氮化铝基板行业对进口氮化铝粉体产品依赖度较高，造成原材料成本较高。对此，中国氮化铝基板企业必须摆脱原材料受制于人的局面，投入更多的资金进行氮化铝粉末产品研制和生产，以建立全产业链发展模式。
新思界
行业分析师表示，随着中国下游电子产业的不断发展，未来氮化铝基板的市场需求也会随之增长；此外，随着我国氮化铝基板生产技术的不断提升，氮化铝基板产品也将不断升级，将会进一步推动其应用领域的拓展，需求规模也会得到扩张。整体来看，未来中国氮化铝基板行业发展前景十分广阔。
