绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT），是一种由双极性晶体管（BJT）和绝缘栅场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT兼具BJT的导通电压低、通态电流大、损耗小等优点以及MOS的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单等优点，是电力电子领域中较为理想的开关器件。随着相关技术不断突破，IGBT应用范围逐渐扩展，市场规模持续扩大。
IGBT分类方法不一，根据使用电压范围不同来划分，IGBT可分为高压IGBT、中压IGBT、低压IGBT以及超低压IGBT四大类，其中高压IGBT主要应用在电网、大型工业装备等领域，主要生产企业为三菱电机；中压IGBT主要应用在太阳能电池、风电等领域，主要生产企业有英飞凌；低压IGBT主要应用在电动汽车、家电等领域，主要生产企业为英飞凌；超低压IGBT主要应用在数码相机、智能手机等领域，主要生产企业为安森美。
根据新思界产业研究中心发布的《
2020-2025年中国IGBT市场可行性研究报告》显示，近年来，得益于新能源汽车、半导体等行业的迅速发展，全球IGBT市场保持持续增长，2019年，全球IGBT市场规模接近430亿元。在制造业技术浪潮推动下，我国制造业逐渐向电动化、智能化方向升级，在此背景下，IGBT市场渗透率逐渐提升，我国IGBT行业发展迎来了良好的发展机遇。2019年，我国IGBT市场规模在170亿元左右。
与欧美等发达国家相比，我国IGBT行业发展较为落后，大部分企业规模较小，同时国内企业在国际市场竞争中优势不足，整体水平与国际水平仍存在较大差距。IGBT是我国重点鼓励和扶持的产业之一，近年来，政府发布了多项政策来促进IGBT产业的发展，随着国家政策持续利好，我国IGBT行业发展速度加快。我国IGBT相关生产企业包括华微电子、中科君芯、比亚迪、中国中车、士兰微电子等，经过多年发展与技术积累，我国IGBT已经形成较为完整的产业链，IGBT市场被国外厂商垄断的格局也逐渐打破，IGBT产品国产替代步伐加快。
新思界
行业分析人士表示，IGBT性能优异，近年来，随着相关技术不断突破，IGBT应用范围逐渐扩展，市场规模持续扩大。与欧美等发达国家相比，我国IGBT行业发展较为落后，但随着国家政策持续利好，以及国内制造业快速发展，IGBT市场发展速度加快，产品国产化率稳步提升。
