晶圆生产工艺主要包括热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨和清洗。刻蚀是通过移除晶圆表面材料，在晶圆上根据光刻图案进行微观雕刻，将图形转移到晶圆表面的工艺，分为湿法刻蚀和干法刻蚀。目前等离子刻蚀是晶圆制造中使用的主要刻蚀方法，电容性等离子刻蚀（CCP）和电感性等离子刻蚀（ICP）是两种常用的等离子刻蚀方法。
新思界产业研究中心整理发布的《
2021-2025年中国原子层刻蚀产品市场分析可行性研究报告》显示，不过随着当前集成电路技术的不断发展，构成芯片的核心器件尺寸持续缩小，芯片的加工制造变得越来越精细。原子层刻蚀（ALE）由于可以实现精准的控制，具有优秀的各向异性，是未来刻蚀工艺的发展方向。原子层刻蚀（ALE）是指通过一系列的自限制反应去除单个原子层，不会触及和破坏底层以及周围材料的先进半导体生产工艺。原子层刻蚀（ALE）技术适合间距或者空间上非常紧密的可能发生孔洞“堵塞”的刻蚀，和具有超高选择性和均匀性的应用。原子层刻蚀（ALE）可以分为等离子体ALE和高温ALE，适用于不同类型的刻蚀。目前，等离子体ALE已经进入生产使用阶段，而高温ALE仍处于早期阶段，距离商业化使用仍有较远距离。
泛林集团执行副总裁兼首席技术官Richard Gottscho博士曾指出，当前晶体管微缩面临的最大挑战是均匀性问题，因此需要对工厂里的产品在原子尺寸上进行毫无差别的掌控，并保证其结果一致，这就是最大的挑战。从晶圆制造的过程看，过往的沉积和刻蚀技术已无法发挥原有的作用，探索新的解决方案成为了厂商工作的重点，而包括原子层刻蚀在内的原子层技术就是其中的一个选择。
随着半导体制造工艺向14nm、7nm、5nm甚至3nm演进，半导体设备企业对于原子层刻蚀（ALE）的关注度提升，部分企业已经推出了基于原子层刻蚀（ALE）的刻蚀系统。就当前来看，原子层刻蚀（ALE）难以在短期内取代传统刻蚀，行业目前仍处于初期阶段，只在部分传统刻蚀难以完成的领域应用。不过，随着技术的持续发展，传统刻蚀技术受到的限制增加，更先进工艺节点的技术发展将会推动原子层刻蚀（ALE）系统市场需求的增长。
新思界
行业分析人士表示，目前，全球原子层刻蚀（ALE）系统生产企业主要有应用材料公司、泛林集团等。随着半导体技术的持续发展，预计原子层刻蚀（ALE）系统的需求将会有所增长，国内企业也应当加强在原子层刻蚀（ALE）的研发及布局。
