选择性外延生长技术（SAG）能够实现材料的区域选择性精确沉积，有助于器件结构的三维集成和性能优化。选择性外延生长技术是指在半导体衬底的选择性区域（如裸露的硅）上进行单晶材料生长，而在介电层（如SiO2或SiN）表面则不发生沉积的技术。
选择性外延生长技术诞生于上世纪60年代，到80年代实现质量突破与首次量产。根据新思界产业研究中心发布的
《2026-2030中国选择性外延生长技术（SAG）]行业市场现状综合研究及投资前景预测报告》显示，选择性外延生长技术具有极高的内量子效率和巨大的成本下降潜力、分辨率潜力，且从根本上解决了红光难题，现阶段，选择性外延生长技术已成为现代CMOS制造中不可或缺的前道工艺。
随着技术演进，选择性外延生长技术存在的侧壁刻面与缺陷（解决方案优化衬底取向/采用氧化物底切技术）、应变与掺杂控制（利用B原子进行应变补偿）、界面杂质与损伤（增加氢烘烤步骤）、选择性丧失等挑战也逐渐得到解决。选择性外延生长技术适应材料也逐渐从硅（Si）扩展至SiGe（锗硅）、SiC（碳化硅）、GaAs（砷化镓）等材料。
Micro LED（微型发光二极管）具备型化、功耗低、集成度高等特点，在车载显示、AR/VR微显示、消费电子、智能穿戴、医疗设备等领域应用空间广阔，预计2028年全球全彩Micro-LED市场需求量将增长至350万套以上。选择性外延生长技术可一步到位实现单片三色集成，是Micro LED（微型发光二极管）全彩化主流技术路线之一，市场空间广阔。
Micro LED全彩化主流技术路线包括巨量转移、合光技术、量子点色转换、垂直堆叠及选择性外延。巨量转移技术工艺流程冗长复杂、存在红光难题，目前主要应用于对价格不敏感的超大尺寸商用显示领域；量子点色转换技术存在光效损失、光学串扰与漏光等劣势。选择性外延生长技术从源头规避巨量转移、量子点色转换等工艺痛点，可实现单晶圆、单步骤、三色集成。
新思界
行业分析人士表示，选择性外延生长技术壁垒极高，目前全球真正掌握并实现量产验证的企业及单位极少，包括法国Aledia、美国NS Nanotech、Plessey（被歌尔股份收购）、Raxium（被Google收购）、光宇元芯（杭州）光电有限责任公司等。
光宇元芯创立于2022年7月，专注Micro LED微显示芯片研发与产业化，核心技术为自研选择性外延生长技术，基于自研SAG技术，产品覆盖AR/VR、车载、消费电子等场景，2026年，光宇元芯连续完成Pre-A及Pre-A+两轮融资，累计融资规模超亿元人民币。
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