DrMOS（Driver MOSFET）是一种将驱动器与功率MOSFET集成在同一封装内的电源管理解决方案。最早由英特尔在2004年前后提出，用于提升VRM模块在高电流供电场景下的效率与集成度。DrMOS通常将驱动器、高侧MOSFET和低侧MOSFET集成在单一封装中，形成“三合一”功率级结构。传统分立方案需要2颗独立的芯片，DrMOS通过集成封装缩小每相功率级占板面积，降低寄生参数，并提升开关性能和热管理能力。
AI服务器电源系统的核心任务，是将电网侧交流电逐级转换为CPU、GPU、ASIC、内存等负载可用的稳定直流电。在AI服务器功率密度持续提升后，供电架构正逐步从AC/DC电源向更高电压母线和更多级DC/DC转换演进。作为CPU/GPU供电模组VRM中的核心功率开关器件，DrMOS负责将12V母线电压转换为芯片所需的低电压大电流。
按封装及制造工艺分类，DrMOS可分为单晶（单Die）及合封两类方案，单晶是驱动IC和MOSFET在同一个Die上制造，优势在于集成度更高、驱动能力更强、开关能力更快，但对高压BCD工艺、设计、封装等环节构成的综合性壁垒要求更高；合封DrMOS是驱动IC和MOSFET在不同晶圆上生产，最后合封在一起，此方案可针对驱动IC及MOSFET采用不同工艺制造，以达到性能（如大电流）与成本优化的目的，缺陷在于堆叠封装可能导致散热面积有限。
新思界产业研究中心整理发布的《
2026-2030年全球及中国DrMOS行业研究及十五五规划分析报告》显示，DrMOS主要可应用于AI服务器、PC、汽车电子等领域，其中AI服务器是增长最强劲的下游市场。当前，高端AI处理器核心供电正由8相、12相向16相甚至更高相数演进，单相电流能力也由50A、70A向90A及以上升级，推动了对于DrMOS产品的需求增长。此外，由于AI服务器电源对于DrMOS产品性能要求提升，需要产品具有更高电流等级、更高开关频率、更低损耗、更强电流/温度检测精度和保护功能，DrMOS产品的价格也随之增长。
当前，全球DrMOS生产企业主要有英飞凌、MPS、瑞萨、TI等，国内企业主要有杰华特、晶丰明源、芯朋微等。其中，英飞凌在全球服务器DrMOS市场中占据主导地位，客户覆盖Intel、NVIDIA、AMD等。国内企业方面，杰华特30A~90A DrMOS已经实现量产；晶丰明源已量产50-90A大电流DrMOS。DrMOS的主要难点在于制造工艺，需要长时间的积累和迭代，企业进入技术难度较高。
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