高导热氮化铝基板应用范围不断拓宽 我国布局企业不断增多

　　高导热氮化铝基板，是以高纯氮化铝（AlN）粉体为主要原料，经过成型、烧结、研磨、抛光、切割等工序制备得到的高导热绝缘陶瓷裸基板。

 

　　氮化铝属于共价键型陶瓷材料，由铝、氮元素化合而成。氮化铝单晶理论热导率可达319~320W/(m·K)，多晶成品热导率通常为170~230W/(m·K)，市面产品覆盖区间100~260W/(m·K)；热膨胀系数约4.0~4.5×10⁻⁶/K，与单晶硅匹配度较高，能够有效缓解芯片与基板界面产生的热应力。此外，氮化铝还具备优异的电绝缘性能（体积电阻率＞10¹⁴ Ω·cm）、较低的介电常数与介电损耗，良好的耐化学腐蚀性等特点。

 

　　按照导热性能划分，行业内一般将氮化铝基板划分为三个主流档位：AlN-170（热导率170~190 W/(m·K)）、AlN-200（热导率190~220 W/(m·K))）以及AlN-230（热导率220~230 W/(m·K)）。基板热导率越高，对氮化铝粉体纯度、烧结气氛与烧结工艺的控制要求越严苛。其中AlN-230、AlN-200属于高导热氮化铝基板。

 

　　根据新思界产业研究中心发布的《2026-2030年全球及中国高导热氮化铝基板行业研究及十五五规划分析报告》显示，高导热氮化铝基板主要面向同时需要散热、绝缘以及尺寸稳定性的电子器件场景。该产品传统需求集中于IGBT功率模块、大功率LED封装等领域；近年来，光通信、半导体激光器、TEC温控器件以及AI高速光模块成为其需求增长最为迅速的应用赛道。

 

　　功率半导体是高导热氮化铝基板规模最大的下游市场，产品渗透率持续提升，其中新能源汽车逆变器模块对高导热氮化铝基板的需求增长尤为迅猛。在5G通信与光通信领域，高导热氮化铝基板可应用于5G基站射频功放、大功率LED封装、汽车电子、光伏储能等场景；相较于传统氧化铝基板，氮化铝基板能够显著降低5G基站功率放大器模块的系统热阻，优化器件散热表现。在AI算力领域，高导热氮化铝基板可承担高速光芯片的散热与封装任务。

 

　　新思界行业分析人士表示，随着新能源汽车、5G通信、AI算力等下游领域持续扩张，高导热氮化铝基板市场需求预计将保持稳定增长态势。在我国市场中，高导热氮化铝基板布局企业主要包括福建华清电子材料科技有限公司、河北中瓷电子科技股份有限公司、宁夏北瓷新材料科技有限公司、潮州三环（集团）股份有限公司、成都旭瓷新材料有限公司、山东国瓷功能材料股份有限公司、无锡海古德新技术有限公司、株洲艾森达新材料科技有限公司、合肥圣达电子科技实业有限公司、浙江正天新材料科技有限公司等。

 

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