根据体系构架不同,服务器可分为X86服务器和非X86服务器,其中X86服务器是基于PC机体系结构,使用Intel或其[全文]
InGaN,氮化铟镓,也称为铟镓氮,是利用氮化铟和氮化镓所形成的三元化合物半导体。氮化铟镓是一种直接带隙[全文]
氮化镓(GaN),是第三代半导体材料中研究最为深入的两种产品之一,与另一种产品碳化硅(SiC)相比,氮化镓[全文]
氮化镓(GaN),是第三代半导体材料,具有能隙宽的优点,以其为材料制造而成的功率器件,具有电子迁移率高[全文]
光器件是光传输及互连系统的基础构成部分,传统光器件主要基于IIIV族半导体、晶体等材料,近年来随着业务需[全文]
光刻胶是一种感光材料,其主要作用是将芯片设计图形从掩膜板转移到基片上。光刻胶是集成电路制造的关键原材[全文]
光模块由光器件、功能电路和光接口等构成,其中光器件是光模块的关键元件,包括激光器(TOSA)和探测器(RO[全文]
电子封装材料是指用于承载电子元器件及其相互联线,起机械支持,密封环境保护,散失电子元件的热量等作用,[全文]
可关断晶闸管,简称GTO,是通过门极来控制器件导通和关断的功率半导体器件,也被称为门极可关断晶闸管、门[全文]
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,其主要采用N型半导体材料,例如硅(Si)、砷[全文]
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,在功率半导体领域具有广阔市场空间。功率半导体在电子电气产业中不可或[全文]
IGBT产业链主要包括IC设计、IC制造、封装、应用等环节。在全球范围内,IGBT的主要应用形式为模块,IGBT模块[全文]
镍铁合金稳定性佳且有高磁导率的软磁合金材料,其主要成分为镍和铁,另含有一定量的Cr、Si、S、P、C等成分[全文]
引线框架是借助键合丝(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端(键合点)内引线与外引线电气连接、形成[全文]
航空航天机器人[全文]
智能功率模块(IPM),是智能化的IGBT功率模块,是一种先进的混合集成功率器件。IGBT主流产品包括IGBT分立[全文]
ESD静电二极管,是以TVS晶粒或二极管为材料制造而成的静电释放保护器件。ESD静电二极管主要应用在各类通信[全文]
稳压二极管,也称为齐纳二极管,是利用PN结反向击穿(齐纳击穿)效应制造而成的具有稳定电压作用的二极管。[全文]
瞬态二极管,也称为瞬态抑制二极管,简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。TVS主要包括单极性TVS([全文]
肖特基二极管,简称SBD,是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,属于半导体分立器件,多为N型半导[全文]