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EUV光罩保护膜将不断向CNT薄膜演进 我国国产替代空间广阔

2026-09-12 17:50      责任编辑:王昭    来源:www.newsijie.com    点击:


  EUV光罩保护膜是先进芯片制造中的最关键耗材之一,粘在EUV光罩(掩膜版)上,以保护光罩免受颗粒等污染物的侵害。

  光掩膜是半导体制造过程中图形转移的母版模板,也是平板显示器、触摸屏、电路板等行业生产制造的重要关键材料。光掩膜精度要求极高,任何微米级的颗粒落在其上,都会在晶圆同一位置上产生反复的缺陷。光罩保护膜作用是保护光掩膜免受颗粒污染,以减少因颗粒污染带来的晶圆缺陷、良率下降。

  目前EUV光罩保护膜以硅基薄膜Pellicle为主流。全球EUV Pellicle产能高度集中,日本三井化学、AGC、韩国S&S Tech、芬兰Canatu、信越化学等国外企业占据全球市场主导,其中三井化学是ASML官方授权唯一实现EUV Pellicle商业化供货的厂商。

  2025年全球EUV Pellicle市场规模约1.06亿美元,预计2032年增长至1.85亿美元。随着芯片制造工艺不断进步,对EUV光罩保护膜的均匀性、缺陷控制等性能要求也日益严苛,硅基薄膜Pellicle性能提升已近瓶颈,难以适配下一代光刻机。

  根据新思界产业研究中心发布的《2026-2030年EUV光罩保护膜行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示,碳纳米管(CNT)薄膜兼具高EUV透过率和优异的热/机械性能,是业内公认的下一代演进方向,但CNT薄膜工程化难题极大,目前尚未达到商业化条件,预计走向量产仍需2-3年时间。未来率先在CNT薄膜上实现突破、具有稳定供应能力的企业,将在先进芯片制造领域面临更大发展空间。

  目前三井化学在CNT薄膜上亦处于领先水平,其岩国大竹的CNT薄膜生产工厂规划年产能5000片,计划2026-2027年推出支持600W+及1kW级高功率光源的产品。

  日本琳得科也在押注EUV光罩保护膜。2026年5月,日本琳得科(Lintec)宣布将投资约70亿日元用于EUV光刻机用防尘膜(Pellicle)的量产,目标2026年实现年产10000片;8月宣布将在福冈县糸島市投资约200亿日元新建“半导体解决方案实验室”。

  新思界行业分析人士表示,我国EUV光罩保护膜市场主要由国外企业垄断,2024年7月,绍兴芯链半导体科技有限公司研发的光罩保护膜发布,解决了长期以来Pellicle完全依赖进口的“卡脖子”问题。我国碳纳米管产业链已相对成熟,但在EUV级碳纳米管保护膜方向,暂无可商业化落地的供应商,国产替代空间广阔。

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