硅光子是用激光束代替电子信号传输数据的技术，是一种高速光通信技术，硅基激光器是硅光子通信技术的核心器件之一。传统激光器是使用III-V族化合物作为发光材料，但III-V族化合物成本高，且与CMOS不兼容，硅材料兼容性好且成本低，因此硅基激光器成为激光器的重要发展方向。
随着光通信技术进步，其功能集成度不断提升，元器件小型化、超薄化、高兼容化成为趋势。相较于传统激光器发光材料，硅材料与CMOS兼容性好，并可利用纳米技术制造元器件，可以满足小体积要求，有利于功能集成。同时，硅材料还具有光学损耗低、波导性能优、机械性能好、抗辐射性能佳等优良特性。此外，硅资源全球储量大，原料来源丰富，成本较低，因此硅基激光器具有发展优势。
根据新思界产业研究中心发布的
《2020-2024年硅基激光器行业深度市场调研及投资策略建议报告 》显示，2015-2019年，全球工业激光器市场年均复合增长率达到18%，2019年，市场规模达到52亿美元，增长势头强劲。预计2020-2024年，全球硅光子市场将以40%左右的增速飞速增长，到2024年市场规模将达到28亿美元左右。全球工业激光器与硅光子市场均保持强劲增长势头，为硅基激光器行业发展带来广阔空间。
硅基激光器技术主要有三个发展方向，一是通过光栅耦合器将激光器耦合进硅波导中，此技术需要大功率激光器芯片；二是将III-V族的DFB芯片倒装焊于SOI晶圆上，通过端面耦合进硅波导中，此技术对倒装焊设备精度要求高；三是将III-V族发光材料键合在SOI晶圆上，制作成激光器耦合进硅波导中。在全球硅基激光器市场中，美国处于技术领先地位。
我国光通信产业发展迅速，但贸易保护主义抬头，部分核心元器件美国对我国禁运。为保障国内光通信产业发展，打破核心器件市场被国外企业垄断的格局，实现硅基激光器自主研发生产势在必行。在此背景下，我国在硅基激光器研究领域的投入不断加大。2018年，中山大学光电材料与技术国家重点实验室与英国伦敦大学合作，研发出国际首例硅基外延生长电抽运室温连续工作分布反馈式（DFB）激光器阵列芯片，对我国硅基激光器行业发展具有重要意义。
新思界
行业分析人士表示，硅基激光器是激光器的重要发展方向，同时也是硅光子技术的核心器件，未来具有广阔发展前景。我国通信技术不断进步，硅光子技术蓬勃发展，为硅基激光器行业带来广阔发展空间。虽然我国硅基激光器的各项技术均在不断突破，但现阶段尚不具备批量生产能力，未来，率先攻克各项技术瓶颈、实现批量化生产的企业具备先发优势。
