微光显微镜（EMMI）又称为光发射显微镜，是一种失效分析工具，是利用高增益相机、探测器来侦测和定位微弱发光（可见光及近红外光），由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。
根据新思界产业研究中心发布的《
2024-2028年中国微光显微镜（EMMI）市场行情监测及未来发展前景研究报告》显示，微光显微镜分析效率高，广泛用于侦测功率半导体、模拟芯片、逻辑半导体、存储芯片等各种半导体器件缺陷所产生的漏电流及异常点的精确定位，下游应用涉及到半导体、新能源、太阳能电池、光通信设备等领域，其中半导体和新能源领域对微光显微镜的需求增长较快。
缺陷、失效半导体元件在施加电压后，元件中电子-空穴对结合产生光子，或元件的热载子以光子的型式释放出多余动能，以上两种机制所产生的光子均可以被微光显微镜侦测出。微光显微镜可侦测的缺陷包括闩锁效应、栅氧缺陷、静电放电失效、撞击游离、通孔底部高阻、节漏电、接面漏电、顺向偏压、氧化层崩溃等。
近年来，随着半导体微纳制造技术进步，集成电路、半导体器件小型化、微型化发展趋势明显，集成电路设计线宽逐步走向亚纳米级，与此同时，集成电路内部单元、互连线也日益细化、复杂。为保证其良率、扩大生产，市场对集成电路缺陷检测的要求也不断提升。
微光显微镜作为常用的失效分析工具，有助于缩小失效电路分析范围、缩短集成电路研发周期以及半导体器件工艺改进，应用需求正不断释放。在实际应用中，微光显微镜常和光诱导电阻变化（OBIRCH）集成在一个检测系统，即PEM。
得益于新材料、新技术的深入应用，微光显微镜逐渐实现升级迭代。砷化镓铟微光显微镜（InGaAs EMMI）与EMMI侦测原理、技术相同，探测光子均是由电子-空穴复合和热载流子触发的。但相比于传统微光显微镜，InGaAs EMMI具有灵敏度更高、波长检测范围更长等优势，因此更适用于先进制程产品的热点定位和漏电检测。
新思界
行业分析人士表示，微光显微镜相关企业有日本滨松电子、赛默飞世尔、广东金鉴实验室科技有限公司、苏州凌光红外科技有限公司等。近年来，随着技术突破，国产微光显微镜性能逐渐提升，在分析速度、波长范围、像素等方面与国际先进水平的差距日益缩小，微光显微镜国产替代步伐逐渐加快。
