EUV光刻机，又称极紫外光刻机，指采用13.5纳米波长光源的先进光刻机。EUV光刻机能够实现7纳米及以下制程的高分辨率图形刻画，具备工艺流程简单、集成度高、良品率高等优势，已在半导体制造领域获得广泛应用。
EUV光刻机主要由光源系统、全反射式光学系统、双工件台系统及掩模版系统构成。在光源系统方面，本土企业已推出三束等离子体耦合DPP-EUV光源工程样机，未来有望在EUV光刻机制备过程中获得应用。但目前，受技术壁垒高、生产成本高等因素限制，我国EUV光刻机组件尚未实现完全国产化，与海外领先水平仍存在显著差距。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2031年EUV光刻机（极紫外光刻机）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，EUV光刻机主要应用于半导体制造过程中。近年来，随着全球半导体产业逐渐向我国大陆转移，我国集成电路产量不断增长。据国家工信部统计数据显示，2026年1-5月，我国集成电路产量达到2286亿块，同比增长25.4%。EUV光刻机可满足逻辑芯片以及存储芯片制造要求，未来随着下游行业景气度提升，其市场空间将得到进一步扩展。
全球EUV光刻机行业集中度较高，代表企业为荷兰ASML。ASML推出的NXE系列和EXE系列EUV光刻机，可满足先进制程高分辨率图形刻画，台积电、三星电子、英特尔等为其主要客户。在本土方面，我国EUV光刻机行业尚处于起步阶段，以实验室研发为主，尚无商用化产品。
近年来，受国际形势影响，美国持续推进对华先进半导体设备出口管制，禁止ASML向我国出售EUV光刻机。在此背景下，我国EUV光刻机研发热情持续高涨，带动其相关专利数量不断增加，主要包括《一种高效水冷EUV光刻机反射镜》、《适用于EUV光刻机的高洁净度复合分子泵》、《一种用于光刻机的EUV光源发生器结构》、《透射式滤波器及其制备方法、EUV光刻机》等。未来随着研究深入，我国EUV光刻机行业发展速度有望加快。
新思界
行业分析人士表示，EUV光刻机属于光刻机市场高端产品，技术壁垒较高，全球仅有荷兰ASML一家企业具备其研发及生产实力。未来随着应用需求不断增长，全球EUV光刻机市场空间将得到进一步扩展。目前，我国企业及相关科研机构正在加大对于EUV光刻机的研发及生产实力，未来其行业景气度有望提升。
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