2015年我国国务院发布的《中国制造2025》计划中，《中国制造2025》。2016年，国务院印发《“十三五”国家科技创新规划》，第三代半导体被列为国家科技创新2030重大项目“重点材料研发及应用”方向之一。随着政策的推动，我国半导体材料得到快速发展，氮化镓行业因此得到快速推进。
GaN上游为衬底、外延片，中游为芯片设计、芯片制造、封测等企业，下游为各大系统厂商。氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体，具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点，目前在电子电器以及功率器件中得到广泛应用，在功率器件领域，GaN基紫外探测器用处广泛，发展前景较好，但目前尚未实现产业化，未来该领域发展潜力巨大。
在2019年我国GaN功率电子器件市场规模约为1.5亿元，尚处于应用产品发展初期，但未来市场空间有望持续拓展，随着5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长，预计到2025年GaN功率电子市场规模有望达到5亿美元。
根据新思界发布的
《2020-2024年中国氮化镓行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，在全球市场中，约有30多家从事氮化镓半导体的研发与生产，其中能够达到商业化生产的只有10家左右。全球中氮化镓专利申请量排在前四的分别有日本、中国大陆、美国、韩国、中国台湾等国家以及地区，其中中国专利占据全球总量的20%以上，具备较大发展优势，但由于技术受限，目前全球氮化镓市场形成了美国、欧洲、日本三足鼎立的局面，主要生产企业有UMS、Azzurro、EPC、Powerex、日本信越、富士电机等。
我国相关企业也在政策、市场等利好因素推动下，逐渐形成了以津冀、长三角、珠三角、和闽三角为聚集区的第三代半导体产业发展中心，部分企业得到快速发展，目前已上市的相关企业有士兰微电子、捷捷微电、杨杰科技、三安光电、海特高新、华灿光电。
新思界
产业分析人士表示，第三代半导体被国家列为重点发展项目，促使GaN功率电子器件行业快速发展。在应用方面，GaN功率电子器件在我国市场渗透率较低，较多领域尚处于研发阶段，商业化进程缓慢，未来GaN功率电子器件行业发展前景较好。在生产方面，我国拥有专利优势，但存在技术劣势，在全球市场中缺乏竞争力。
