量子阱红外探测器，英文简称QWIP，是制冷型红外探测器的一种，其采用的材料在能带结构上构成电子或空穴势阱，一般采用III-V族半导体材料，包括光导型量子阱材料、光伏型量子阱材料两大类。量子阱红外探测器使用的量子阱材料种类正在不断增多，现阶段常见的产品主要有GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAlAs、InGaAs/InP、InGaAsP/InP、SiGe/Si等，其中，GaAs/AlGaAs（砷化镓/铝砷化镓）量子阱红外探测器是主流产品类型。
目前量子阱材料生长工艺成熟、生长过程易于控制、适合规模化生产、成本较低，且产品均匀度高、热稳定性好、耐辐射性优，制造而成的量子阱红外探测器具有低暗电流、热灵敏度高、响应速度快、无光谱串扰等优点。但量子阱红外探测器也存在垂直入射光吸收率低、红外响应波段较窄等缺点。目前，制冷型红外探测器产品中，碲镉汞探测器、锑化铟探测器应用最为广泛，二类超晶格探测器发展潜力更大。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2027年中国量子阱红外探测器（QWIP）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，量子阱红外探测器的量子效率较低，但常用的GaAs/AlGaAs量子阱材料制备工艺成熟，镓、砷、铝之间共价键结合，互作用力大，产品性质稳定，可制造多色谱大阵列红外探测器，在多色与甚长波红外探测方面具有独特优势，易于规模化应用，适于产业化发展。因此量子阱红外探测器仍是重要的第三代红外探测器产品类型之一，在军工国防、航空航天、天文物理等领域拥有广阔市场前景。
量子阱红外探测器于20世纪80年代被美国贝尔实验室科学家研发问世，最先问世的是GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器，至今其研究时间较长，技术已经取得了长足进步。我国量子阱红外探测器研究起步晚于美国，近年来研究成果不断问世，2017年，昆明物理研究所研制出阵列规模640×512、中心距20μm的偏振长波量子阱红外探测器以及红外面阵探测器芯片，具有较高物理分辨率并可以获取被测物体的偏振信息，提升了产品探测性能。
新思界
行业分析人士表示，2021年，全球红外探测器市场规模约为5.3亿美元，预计2021-2026年将以6.3%左右的年均复合增速增长，到2026年市场规模将达到7.2亿美元以上。量子阱红外探测器需要工作在低温条件下，应用领域较窄，且性能存在一些缺陷，在全球红外探测器市场中份额占比较小，但其在部分应用领域中具有较强竞争优势，因此未来仍有发展空间。
