电阻式随机存取存储器，简称阻变存储器，英文简称RRAM或者ReRAM，是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为原理制造而成的存储器。RRAM与PCM（相变存储器）、MRAM（磁性存储器）、FRAM（铁电存储器）一起为新型非易失性存储器，在替代传统半导体存储器方面具有市场潜力。
相比PCM与MRAM，RRAM研究起步较晚，进入21世纪才引起业界关注，研究力度不断加大，目前，RRAM已经由实验室研究阶段、企业研发阶段进入工业化生产阶段。从结构上来看，RRAM与PCM结构相似，只是采用的存储介质不同，PCM采用相变材料，RRAM采用阻变材料，利用阻变材料导电通路的断开和连接来实现高低阻态相互转换，从而实现信息存储。
RRAM可以采用不同的材料与技术来实现，例如金属氧化物、碳纳米管、氧空位技术、导电桥技术等。RRAM读写速度快，并且是可逆无损伤读写，能够大幅提升使用寿命；RRAM具备多种电阻状态，可以提高存储密度，具有容量大、体积小的优点；RRAM还具有低功耗特点；对比其他三种新型非易失性存储器，RRAM还拥有工艺相对简单、成本较低、良品率较高等优势。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2027年中国RRAM（阻变存储器）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，在大数据、人工智能、万物互联背景下，电子产品对存储器的读写速度、容量、体积、功耗等要求不断提高，RRAM迎来发展机遇。在全球市场中，进入RRAM行业布局的企业不断增多，Crossbar、Adesto、尔必达（ELPIDA）、昕原半导体、美光、SK海力士、松下、东芝、索尼等企业均在进行RRAM研发与生产，其中，美国Crossbar公司起步较早，技术处于领先地位。
新思界
行业分析人士表示，我国是电子产品生产大国，市场对半导体存储器需求量大。在我国以及全球半导体存储器市场中，三星、SK海力士、美光等少数国外企业处于垄断地位，这些企业地位难以撼动，若要打破现有市场格局，需要采用新技术。RRAM给予了我国在半导体存储器领域实现弯道超车的机会，因此我国进入RRAM行业布局的企业也在不断增多。
早在2018年，我国存储器厂商兆易创新与美国芯片设计商Rambus公司宣布建立合资公司——合肥睿科微电子有限公司，目的是实现RRAM技术商业化。2022年2月，我国昕原半导体主导建设的国内首条具备自主知识产权的12英寸、28/22纳米RRAM中试生产线顺利建成。除此之外，中芯国际也将RRAM纳入未来发展版图。由此来看，我国RRAM工业化生产实力将逐步增强。
