磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半导体，分子式为InP，外观呈深灰色晶体状。磷化铟单晶是第三代半导体材料，可在光电子技术、微波技术、太阳能动力技术等领域实现广泛应用。
目前磷化铟单晶生长方法有多种，主要包括液封直拉法（LEC法）、垂直布里奇曼法（VB法）、垂直温度梯度凝固法（VGF法）等。其中LEC法生产成本高、晶体应力较大、工艺流程复杂，不适宜磷化铟单晶的规模化量产；VB法生长晶体应力大、晶体生长不可见，不利于大尺寸磷化铟单晶的量产。基于此，VGF法是目前磷化铟单晶的常用生长方法，该方法规避了LEC法缺点，具有位错密度低、晶体应力小、晶体生长条件可控、可实现大尺寸晶体量产等优点。
磷化铟单晶有着较高的技术壁垒，目前关键技术仍掌握在美、日等发达国家手中，如美国AXT、日本住友等。我国对磷化铟单晶的研究始于20世纪70年代，与发达国家相比，起步时间较晚、技术经验储备不足，因此，本土企业在大尺寸、创新型、高端化磷化铟单晶的研发进程还比较落后，行业仍有巨大成长空间。
国内布局磷化铟单晶市场的企业数量较多，主要企业包括云南锗业、东一晶体、中科晶电、北京通美、先导稀材、鼎泰芯源等，但多数企业仍处于研发阶段。目前国内仅有北京通美一家企业具备磷化铟单晶衬底量产能力，未来本土企业仍需加大关键技术攻克力度，促进磷化铟单晶及其相关产品研发进程不断加快。
新思界
行业分析人士表示，磷化铟单晶是第三代半导体材料，其性能优异、应用广泛，目前已成为光模块器件、传感器件、射频器件高端化、高频化升级的关键材料。伴随着下游高新技术产业快速发展，磷化铟单晶市场规模逐步扩大，行业展现出良好发展前景。但全球磷化铟单晶关键技术仍由美、日企业所垄断，本土企业技术水平还比较低，未来企业还需持续加快研发进程，行业成长空间巨大。
