硅电容器，简称Si-Cap，是指以硅材料为介电层，采用半导体制造工艺制作而成的电容器。与主流电容器MLCC（片式多层陶瓷电容器）相比，硅电容器有着更优异的稳定性、可靠性、耐温性、耐老化性、低背化、绝缘阻抗性和更高的频率、容量等，是一类高性能、高附加值的电容器，在通讯基站、毫米波T/R组件、LC滤波器、汽车、植入式医疗系统、手机终端、军用雷达、航空航天等领域有着广阔的应用前景。
硅电容器是近几年研发出来的一类新型电容器，凭借着超小尺寸、高频响应、低电阻、高可靠性等优势率先在航空、军事领域实现应用。直至2021年前后，在下游电子产品小型化发展趋势逐步攀升、终端领域对电容器要求不断提升、相关企业不断突破关键技术背景下，硅电容器民用市场才开始起步，在医疗、电子、通讯领域展现出良好发展前景，未来市场空间还有待持续扩展。
硅电容器技术、研发壁垒较高，全球范围内，布局该领域的企业主要有日本村田制作所、法国IPDIA、美国Microchip、美国AVX、美国Vishay等国际企业以及台湾积体电路制造（台积电）、大连宏衍微电子、深圳运通极芯科技等中国企业。
其中村田制作所与台积电是全球市场中唯二两家实现硅电容器规模化量产的企业，且村田制作所在硅电容器领域起步时间早于台积电，并于2016年收购了法国IPDiA头部硅电容器公司，因此，村田制作所硅电容器技术领先全球。2023年6月，村田制作所宣布投资约100亿日元将硅电容器产能提升两倍，未来随着产能不断提升，其有望加快抢占全球市场份额，占据市场主导地位。
从中国大陆市场来看，我国具备硅电容器生产能力的企业数量较少，宏衍微电子与运通极芯科技两家企业为国内领先企业。在技术方面，宏衍微电子的3D硅电容器综合技术性能已达到村田的70%左右，部分单点特性可优于村田；运通极芯科技成功研制出3D高密度硅电容器，拥有相关技术的全部知识产权，技术工艺已达国际领先水平。新思界
行业分析人士表示，目前国内硅电容器企业在技术方面已实现较大突破，但距离实现规模化量产还有较长的路要走，未来行业成长空间巨大。
