砷化镓探测器（GaAs探测器），是以半导体材料砷化镓晶体为探测器材料制造而成的辐射探测器，可以应用在室温条件下。
砷化镓，化学式为GaAs，外观为黑灰色固体状，熔点高，化学性质稳定。砷化镓是III-V族化合物半导体，为闪锌矿型晶格结构，具有禁带宽度大、电阻率高、电子迁移率大、击穿电压高等特点，可以用作辐射探测器材料。砷化镓晶体可以采用液封直拉法（LEC）、垂直梯度凝固法（VGF）、布里奇曼法（VB/HB）等工艺进行制备。
砷化镓探测器，一般为金属-半导体-金属（M-S-M）结构，可以采用的金属材料主要有金（Au）、铬（Cr）、铝（Al）等，通常采用铬-砷化镓晶体-金的结构，利用肖特基技术形成PN结，P型区、N型区分别注入正、负载流子，铬、金作为阴阳电极。
砷化镓探测器的工作原理是，当射线照射探测器时，被砷化镓晶体吸收，形成电子-空穴对，在电场作用下，电子、空穴分别向不同电极漂移，形成电流，通过测量电流实现射线探测。
20世纪70年代，砷化镓探测器被开发问世。砷化镓探测器具有抗辐射性能强、灵敏度高、线性响应速度快、结构简单、体积小、可靠性高等优点，其核心材料砷化镓晶体的制备工艺成熟，适于大规模应用。但由于砷化镓平均原子序数较低，砷化镓探测器的探测效率有限，且无法探测高能射线，因此发展受到一定限制。
新思界
行业分析人士表示，室温半导体辐射探测器常见的产品主要有碲锌镉探测器、砷化镓探测器、碘化汞探测器等。与碘化汞相比，砷化镓的优点是化学性质稳定、可生长大体积单晶、易于加工，但存在原子序数较低、探测效率较差的缺点。碲锌镉探测器对比砷化镓探测器、碘化汞探测器，除大尺寸碲锌镉单晶生长难度大的缺点外，综合性能更为优良。因此在室温半导体辐射探测器市场中，碲锌镉探测器最为常见，砷化镓探测器应用相对较少。
