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四(二甲胺基)铪(TDMAH)是铪基薄膜前驱体 我国生产能力不断提升

2025-10-15 17:43      责任编辑:周圆    来源:www.newsijie.com    点击:
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四(二甲胺基)铪(TDMAH)是铪基薄膜前驱体 我国生产能力不断提升

  四(二甲胺基)铪,也称四(二甲氨基)铪、四(二甲基氨基)铪,英文简称TDMAH或TDMAHf,分子式C8H24HfN4,分子量354.793,CAS号19782-68-4,外观为无色至淡黄色结晶固体状,对眼睛、皮肤有腐蚀性,密度1.098g/mL,熔点26-29℃,沸点60℃,闪点43℃,易燃烧,遇水剧烈反应释放出易燃气体,存储需密封并远离火种、热源。
 
  根据新思界产业研究中心发布的《2025年中国四(二甲胺基)铪(TDMAH)市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示,四(二甲胺基)铪是一种铪基薄膜前驱体材料,可以利用化学气相沉积法(CVD)、原子层沉积法(ALD)在基底材料上沉积得到二氧化铪薄膜、氮化铪薄膜,也可以与其他前驱体材料配合使用,在衬底上沉积得到稀土掺杂氧化铪薄膜,例如Ce:HfO2薄膜,进而能够应用在半导体、存储器、功率器件等制备领域,还可以应用在光学涂层、纳米复合材料等制备方面。
 
  铪基薄膜具有高介电常数特点,可以制备得到厚度更薄的膜层,作为晶体管栅极介电层材料使用时,能够避免传统硅基薄膜介电层因过薄而导致的栅极直接隧穿漏电问题,可以满足小尺寸晶体管制造需求,进而满足芯片行业技术发展要求。在芯片性能不断提高、尺寸不断缩小背景下,四(二甲胺基)铪作为铪基薄膜前驱体材料,在替代传统硅基薄膜前驱体材料方面发展前景广阔。
 
  在我国,四(二甲胺基)铪制备方法相关专利申请数量不断增多,主要有南京大学“四(二甲胺基)铪的合成方法”,浙江博瑞电子科技有限公司“一种四(二甲氨基)铪的制备方法”与“一种四(二甲氨基)铪的精制方法”,合肥安德科铭半导体科技有限公司“一种四(二甲胺基)铪的制备方法”等。
 
  其中,浙江博瑞电子科技有限公司“一种四(二甲氨基)铪的制备方法”专利,是在有机溶剂存在下,在正丁基锂提供的碱性环境中,以二甲基胺、四氯化铪为原料,添加催化剂进行脱酸反应,制备得到四(二甲氨基)铪,具有方法简单、原料利用率高、反应速度快、收率高、产物纯度高等特点。
 
  新思界行业分析人士表示,我国四(二甲胺基)铪市场布局企业主要有南京大学材料MO源研究开发中心、江苏南大光电材料股份有限公司、合肥安德科铭半导体科技有限公司等。2025年5月,江西华特电子化学品有限公司华特电子永修半导体新材料中试基地项目环境影响报告书拟批准公示,一期建设项目中包括四(二甲氨基)铪生产线。我国四(二甲胺基)铪生产能力还在不断提升。
 
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