铌酸锂单晶薄膜是一种先进的光电材料，通过离子切片的方式，从块状的铌酸锂晶体上剥离而来，具体步骤为首先将He+注入X-cut铌酸锂材料中，形成缺陷层，后将离子注入的铌酸锂材料与硅基底键合形成键合结构，键合结构经退火其缺陷层形成裂纹，铌酸锂薄膜沿缺陷层分离，得到铌酸锂单晶薄膜。
铌酸锂单晶薄膜具有优异的光电性能和化学性能，在光通信、光纤陀螺、量子通信、航空航天等领域应用广泛。基于铌酸锂单晶薄膜的电光调制器、光子芯片、声表面滤波器、光频梳等器件可以实现更高性能和集成度，随着新型光学器件、声学器件技术的发展，铌酸锂单晶薄膜市场需求空间将持续扩大。
电光调制器（EOM）是基于电光效应的光调制器。目前电光调制器制备材料主要有硅（波导损耗较大）、铌酸锂、磷化铟（成本高）等，铌酸锂调制器具有传输损耗小、稳定性好等优势，是目前市场主流电光调制器。但基于铌酸锂晶体的电光调制器存在体积较大的问题，而基于铌酸锂单晶薄膜的电光调制器在保持优良性能的同时，可实现更高的集成度，是电光调制器未来重要发展方向。
根据新思界产业研究中心发布的《
2024-2029年中国铌酸锂单晶薄膜行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，铌酸锂单晶薄膜技术壁垒高，在全球市场上，相关企业主要有日本NGK Insulators、美国PartowTechnologies、济南晶正电子科技有限公司（晶正电子）、上海新硅聚合半导体有限公司（由上海微系统所团队孵化）等。近年来，我国铌酸锂单晶薄膜产业发展迅速，在国际市场上的竞争力持续增强。
晶正电子是国际上率先成功开发和产业化300-900nm厚度铌酸锂单晶薄膜的企业，填补了行业空白。目前晶正电子的铌酸锂单晶薄膜已在耶鲁、剑桥、清华等科研院校及百余家高科技企业中实现应用，在全球市场的占有率达70%以上。晶正电子产能处于扩张中，其年产10万片铌酸锂薄膜材料的新生产线正在加速建设，预计将于2024年底实现投产。
新思界
行业分析人士表示，铌酸锂单晶薄膜可实现声学器件、光学器件的性能提升及小型化发展，在光通信、量子通讯等领域应用空间广阔。铌酸锂单晶薄膜市场需求旺盛，目前我国已实现铌酸锂单晶薄膜规模化生产和供应，随着相关项目投产，我国在国际市场的地位将进一步提升。
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