光刻胶是由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经配套试剂（显影液、稀释剂、表面处理剂、去膜剂、剥离剂等）的处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。
市场规模迅速扩大
目前，电子产业用光刻胶下游应用主要为三大领域：TFT-LCD 显示、PCB、集成电路。在集成电路生产过程中，光刻是至关重要的环节，整个芯片工艺所能达到的小尺寸是由光刻工艺决定的，光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-60%。
得益于中国半导体产业的快速发展，中国半导体光刻胶市场规模快速增长。新思界产业研究中心发布的
《2017-2022年中国光刻胶市场深度调研与投资报告》显示，2009 年中国光刻胶市场规模不足25 亿元，2016 年增长为58 亿元，年复合增长速度达14.3%。
技术落后
高分辨率的光刻胶可以说是半导体化学品中技术壁垒最高的材料，市场上正在使用的大部分集成电路光刻胶产品出自日本和美国公司。目前中国电子用光刻胶产值主要集中于技术含量相对较低的PCB 领域，高技术含量的集成电路光刻胶产值占比不到5%。同时在全新的EUV 和E-beam 光刻胶方面，中国还不具有大规模量产能力。
新思界
行业研究员指出，目前，我国光刻胶的主要厂商为北京科华和苏州瑞红，两家公司分别承担了国家02 专项KrF（248nm）光刻胶和i 线（365nm）光刻胶课题，并取得重大突破。但国内光刻胶整体技术水平与国际先进水平仍存在较大差距，自给率仅10%，进口替代的空间巨大。其中，适用于6 英寸硅片的g/i 线光刻胶的自给率约为20%，适用于8 英寸硅片的KrF 光刻胶的自给率不足5%，而适用于12 寸硅片的ArF 光刻胶目前尚没有国内企业可以大规模生产，基本依靠进口。
