光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、x射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。由于光刻胶存在化学结构特殊、品质要求苛刻、生产工艺复杂等特性，被称为是精细化工行业技术壁垒最高的材料。
在半导体领域，光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率以及可靠性的关键性因素。光刻工艺的成本约占整个芯片制造工艺的35%，光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，是半导体集成电路制造的核心材料。
根据新思界产业研究中心公布的
《2019-2024年光刻胶行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，按应用领域分类可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶，其中PCB光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶和光成像阻焊油墨，PCB光刻胶技术壁垒较低。LCD和半导体光刻胶主要包括i线、ArF、KrF光刻胶等，技术壁垒较高。经过多年发展,我国企业已经在光刻胶领域取得了突破，在PCB光刻胶领域出现了永太科技、容大感光、飞凯材料等企业，我国成为PCB光刻胶出口大国，但在光刻胶市场的高端领域仍然被JSR、住友化学、三菱化学等日韩公司占领。在国家政策的推动下，国内企业加大了半导体光刻胶投入力度，国内不断有新的项目出现：
南大光电：2018年1月，南大光电宣布拟投资65557万元实施“193nm（ArF干式和浸没式）光刻胶材料开发和产业化”项目，获得了国家02专项正式立项；将通过3年的建设、投产及实现销售，达到年产25吨193nmArF光刻胶产品的生产规模，预计2020年完成研发及产业化。
上海新阳：2018年3月，上海新阳拟与复旦大学邓海博士技术团队共同开展193nm(ArF)干法光刻胶研发及产业化项目，计划总投资2亿元人民币；项目预计2022年达产，达产年时项目将建成年产5000加仑193nm干法光刻胶及配套材料的生产能力。
2018年6月，苏州瑞红完成了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目，建成了100吨/年规模的i线正胶产品生产线，同时建成了248nm深紫外光刻胶中试示范线，i线光刻胶已取得向中芯国际天津、扬杰科技、福顺微电子的供货订单。
新思界
产业研究员认为，在国家政策与市场的双重驱动下，近年来，国内企业逐步向面板、半导体光刻胶发力，苏州瑞红、北京科华在分立器件、面板等部分产品实现了国产替代，但由于光刻胶市场资金和技术壁垒较高，长期被国外企业垄断，国内专业人才实在太少，国内企业要实现向高端光刻胶的突破并不容易，国产替代任重道远。
