2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮简称TMHD或thd，是一种β-二羰基化合物，具有间-二羰基结构。2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮的间-二羰基结构易通过互变异构形成稳定的烯醇式结构，在碱性条件下醇羟基失去质子后，氧负离子易与多种金属离子配位形成稳定的配合物。
根据新思界产业研究中心发布的
《2026-2030年2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮（TMHD）行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮的金属配合物多样，包括三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸）镱、双（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸）镍、三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸）铝、三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸）钴、三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸）钌、四（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮）铪、三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮）铱、四（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮）铈、三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸）钪等。
其中双（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸）镍是以2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮与六水合硝酸镍反应生成；三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸）镱主要以氯化镱或硝酸镱六合物为原料，在甲醇体系中，原料与2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮配体在氢氧化钠辅助下反应制得。
2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮的金属配合物多样，且用途广泛，如作为催化剂，用于催化难以发生的乌尔曼反应、芳烃的多种偶联反应等，或作为化学气相沉积（CVD）工艺、原子层沉积工艺（ALD）或金属有机化学气相沉积工艺（MOCVD）的前驱体源材料，以制备金属薄膜等半导体材料，如NiO薄膜、钴基薄膜、钌基薄膜等。
近年来，随着5G通信、人工智能、智能驾驶、先进计算等高科技产业发展，市场对集成电路芯片性能提出了更高的要求，半导体制程逐渐向更先进节点演进，先进制程所需的薄膜层数越来越多、性能要求越来高，钴基薄膜、钪基薄膜、钌基薄膜等新材料应用持续深入。2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮作为以上薄膜的前驱体材料的核心配体，市场需求空间随之扩大。
新思界
行业分析人士表示，目前国内外多家企业拥有2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮供应能力，包括赢创、奥地利LOBA Feinchemie、湖北实兴化工、南京予善化工、科邦特化工等，企业规模大小不一。
在合成专利上，盐城工学院申请的一种2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮的纯化方法，该方法可获得高纯度的2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮，且与现有技术相比，具有操作简单、纯化损耗小、利于规模化生产等优势。
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