2025年06月13日
铁电随机存取存储器，简称铁电存储器，英文简称FRAM或者FeRAM。FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质，利用铁[全文]
电阻式随机存取存储器，简称阻变存储器，英文简称RRAM或者ReRAM，是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，[全文]
MRAM，磁阻随机存取存储器，简称磁性存储器，是依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息的存储技[全文]
火控雷达系统又称为火力控制雷达系统，是现代战斗机、军舰等综合性武器平台火控系统的关健设备之一。火控雷[全文]
相变存储器，英文简称PCM，也称为PCRAM、OUM，其以相变材料为存储介质，利用相变材料在电流的焦耳热作用下[全文]
SRAM，静态随机存取存储器，是RAM（随机存取存储器）的一种，可直接与CPU交换数据。只要保持通电，SRAM存储[全文]
DRAM，动态随机存取存储器，是RAM（随机存取存储器）的一种，工作原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一[全文]
NAND Flash，是Flash ROM（闪存）的一种。Flash ROM是当前主流ROM（只读存储器），通常与DRAM（动态随机存[全文]
EPROM，可擦除可编程只读存储器。在EPROM问世之前，全球仅有两类存储器，即RAM（随机存取存储器）与ROM（只[全文]
PROM，可编程只读存储器，可利用PROM编程器将数据写入，只能够进行一次编程，数据被永久存放，无法进行再次[全文]
EPLD，可擦除可编程逻辑器件，是PLD（可编程逻辑器件）的一种，在PAL（可编程阵列逻辑）、GAL（通用阵列逻[全文]
电子树脂可赋予电子产品优异性能，如稳定性、介电常数、耐热性等，是电子信息产业技术革新中不可或缺的基材[全文]
闪存即快闪存储器，英文Flash ROM，是一种非易失性存储器，可以多次写入与擦除，在电子产品领域应用范围广[全文]
可编程逻辑器件，英文简称PLD，主要功能是用作通用集成电路，其逻辑功能可以按照用户的要求来确定，具有较[全文]
微电子焊接材料属于电子材料，主要应用在PCBA制程、精密结构件连接、半导体封装等领域电子器件的封装与组装[全文]
程控交换机全称为存储程序控制交换机，是指利用现代计算机技术，完成控制、接续等工作的电话交换机。我国程[全文]
CPLD，复杂可编程逻辑器件，是PLD（可编程逻辑器件）的一种，是在PAL（可编程阵列逻辑）、GAL（通用阵列逻[全文]
GAL，通用阵列逻辑，是在PAL（可编程阵列逻辑）的基础上改进得到一种PLD（可编程逻辑器件），具有电可擦除[全文]
PLA，可编程逻辑阵列，是PLD（可编程逻辑器件）的一种，组成结构主要包括与阵列、或阵列、记忆元件、输出电[全文]
PAL，可编程阵列逻辑，属于简单PLD（可编程逻辑器件）的一种，在EDA中内部电路是在PLA（可编程逻辑阵列）的[全文]
