磷化铟晶片依据电学性质来划分,可分为为n型、p型、半绝缘型三类,掺铁磷化铟晶片即为半绝缘型衬底的核心品[全文]
掺硫磷化铟晶片是n型磷化铟单晶衬底的重要品类,通过掺入硫(S)元素实现可控的n型导电特性。 掺硫磷化铟晶[全文]
磷化铟晶片是以高纯磷化铟单晶为原料,经切割、研磨、抛光等工序加工得到的单晶薄片,主要用作外延生长衬底[全文]
集成电路测试板,简称IC测试板,指连接芯片与自动测试设备的硬件接口,承担测试信号、电源及控制通路的转接[全文]
3D NAND,又称三维NAND,是一种非易失性闪存技术,通过将存储单元在垂直方向上多层堆叠,而非传统的平面水[全文]
硅单晶外延片,简称硅外延片,是以超精密抛光单晶硅片为基底,在高温、工艺参数精准可控的环境下,通过化学[全文]
硅单晶抛光片是以电子级高纯硅为核心原料,通过直拉法(CZ)、磁场直拉法(MCZ)、悬浮区熔法(FZ)等工艺[全文]
硅基微阵列透镜是以单晶硅为基底,依托半导体微纳加工工艺制备的高精度微光学器件,由多个微米级透镜单元按[全文]
微阵列透镜(MLA),也称微透镜阵列,是一种由微米级通光孔径与浮雕深度的微型透镜单元按照特定阵列规律排[全文]
纳米粒子偏振片是一种高质量吸收型偏振片,结构是在硅酸钠玻璃基底中嵌入定向排列的扁长银纳米粒子,利用银[全文]
量子点发光二极管(QLED),指以量子点材料作为发光层的电致发光器件。与有机发光二极管(OLED)相比,量子[全文]
刻蚀机用碳化硅电极是半导体等离子体干法刻蚀腔体的核心精密部件,采用高纯碳化硅作为核心功能材质,安装于[全文]
碳化硅(SiC)单晶衬底是由硅、碳元素按1:1化学计量比构成的IV-IV族宽禁带化合物半导体材料,具备耐高温、[全文]
PVA偏光片保护膜是偏光片三明治复合结构的关键辅材,指贴合在PVA偏振膜两侧的光学保护薄膜。偏光片整体由PV[全文]
MiniLED反射膜是适配MiniLED背光模组的核心光学功能薄膜,核心作用是回收导光板、扩散板溢出的光线,将其重[全文]
荧光粉膜是一款以光学PET薄膜为基底,搭配荧光粉体、功能阻隔树脂,通过精密涂布工艺加工制成的功能性光学[全文]
质子交换膜燃料电池(PEMFC),指将氢气和氧气的化学能通过电化学反应直接转化为电能的发电装置。质子交换[全文]
光掩膜版是微电子制造过程中承载图形设计信息的精密母版,通过光刻曝光工艺将电路图案或功能层图形转移至下[全文]
有机小分子空穴传输材料(有机小分子HT材料)是以三芳胺类、咔唑类、螺二芴类等共轭小分子为主体的功能材料[全文]
电子传输层(ETL)用于协助电子由阴极注入并输运至发光层,同时阻挡空穴向阴极迁移,促使载流子在发光层内[全文]